G2003A

Name: G2003A
Brand: Goford Semiconductor

아날로그 및 전원

N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3

생산 중TO-236-3, SC-59, SOT-23-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	580 pF @ 25 V
제조사	Goford Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
포장	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태	생산 중
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

드레인-소스 전압	190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)
최대 전력 손실	1.8W (Tc)

Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급사 디바이스 패키지	SOT-23-3

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)