G1NP02LLE

Goford Semiconductor

G1NP02LLE

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L

생산 중SOT-23-6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds146pF @ 10V, 177pF @ 10V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA, 800mV @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Power - Max1.25W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
공급사 디바이스 패키지SOT-23-6L

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)