G100C04D52

Goford Semiconductor

G100C04D52

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 40V 40A/24A 8DFN

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 10V, 16mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V, 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2213pF @ 20V, 2451pF @ 20V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc), 24A (Tc)
Power - Max65W (Tc), 50W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-DFN (4.9x5.75)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)