G080P06M

Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor

아날로그 및 전원

P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT

생산 중아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15870 pF @ 30 V
제조사	Goford Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

드레인-소스 전압	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	195A (Tc)
최대 전력 손실	294W (Tc)

패키지	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
공급사 디바이스 패키지	TO-263

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)