G05NP10S

Goford Semiconductor

G05NP10S

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 100V 5A/6A 8SOP

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 1A, 10V, 200mOhm @ 6A, 10V
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds797pF @ 25V, 760pF @ 25V
제조사Goford Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc), 6A (Tc)
Power - Max3W (Tc), 2.5W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOP

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)