MURT40040R

GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

아날로그 및 전원

DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER

생산 중Three Tower아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번MURT400
Diode Configuration1 Pair Common Anode
제조사GeneSiC Semiconductor
실장 방식Chassis Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)180 ns
기술Standard, Reverse Polarity

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 200 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseThree Tower
공급사 디바이스 패키지Three Tower

환경 조건

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C