MUR40060CTR

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

아날로그 및 전원

DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER

생산 중Twin Tower아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번MUR40060
Diode Configuration1 Pair Common Anode
제조사GeneSiC Semiconductor
실장 방식Chassis Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)180 ns
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 125 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTwin Tower
공급사 디바이스 패키지Twin Tower

환경 조건

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C