MUR20005CT

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

아날로그 및 전원

DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER

구형Twin Tower아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번MUR20005
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
제조사GeneSiC Semiconductor
실장 방식Chassis Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)100A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTwin Tower
공급사 디바이스 패키지Twin Tower

환경 조건

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C