MBR60045CTRL

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTRL

아날로그 및 전원

DIODE MOD SCHOTT 45V 300A 2TOWER

구형Twin Tower아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번MBR60045
Diode Configuration1 Pair Common Anode
제조사GeneSiC Semiconductor
실장 방식Chassis Mount
포장Bulk
제품 상태구형
기술Schottky

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If600 mV @ 300 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)300A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 mA @ 45 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

Package / CaseTwin Tower
공급사 디바이스 패키지Twin Tower

환경 조건

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C