일반
| 기본 품번 | MBR2X080 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 실장 방식 | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | Schottky |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 80 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 80A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| 공급사 디바이스 패키지 | SOT-227 |
환경 조건
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|