MBR20080CTR

GeneSiC Semiconductor

MBR20080CTR

아날로그 및 전원

DIODE MOD SCHOTT 80V 200A 2TOWER

생산 중Twin Tower아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번MBR20080
Diode Configuration1 Pair Common Anode
제조사GeneSiC Semiconductor
실장 방식Chassis Mount
Product StatusActive
기술Schottky

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If840 mV @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr5 mA @ 20 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTwin Tower
공급사 디바이스 패키지Twin Tower