일반
| 기본 품번 | GD60 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4577pF @ 1V, 1MHz |
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | SiC Schottky MPS™ |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 60 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 122A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1700 V |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-2 |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-247-2 |
환경 조건
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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