일반
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Tube |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 시리즈 | SiC Schottky MPS™ |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
기계적 특성
| Package / Case | TO-220-2 |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-220-2 |
환경 조건
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|