일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 20A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 282W (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
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| Package / Case | TO-247-3 |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-247AB |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C~175°C(TJ) |
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