일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 20A |
|---|---|
| 기본 품번 | GA20JT12 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 282W (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-263-7 |
환경 조건
| 동작 온도 | 175°C (TJ) |
|---|