일반
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| 포장 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| 시리즈 | G3R™, LoRing™ |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 750 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 182W (Tc) |
기계적 특성
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-263-7 |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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