일반
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | G3R™ |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 750 V |
|---|
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-247-3 |