G3R20MT12K

Name: G3R20MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor

아날로그 및 전원

SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 60A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5873 pF @ 800 V
제조사	GeneSiC Semiconductor
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	G3R™
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	±15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.69V @ 15mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	128A (Tc)
최대 전력 손실	542W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)