G3R12MT12K

Name: G3R12MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor

아날로그 및 전원

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 100A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9335 pF @ 800 V
제조사	GeneSiC Semiconductor
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 50mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	157A (Tc)
최대 전력 손실	567W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)