G2R1000MT33J

Name: G2R1000MT33J
Brand: GeneSiC Semiconductor

아날로그 및 전원

SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	238 pF @ 1000 V
제조사	GeneSiC Semiconductor
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	G2R™
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 2mA

드레인-소스 전압	3300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
최대 전력 손실	74W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)