GPIHV30DFN

GaNPower

GPIHV30DFN

데이터시트

아날로그 및 전원

GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8

생산 중Die아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.25 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds236 pF @ 400 V
제조사GaNPower
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 3.5mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseDie
공급사 디바이스 패키지Die

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)