HGTP12N60A4D

Fairchild Semiconductor

HGTP12N60A4D

아날로그 및 전원

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

생산 중TO-220-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Gate Charge78 nC
입력 유형Standard
제조사Fairchild Semiconductor
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
Switching Energy55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C17ns/96ns
Test Condition390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)96 A
Power - Max167 W

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-220-3
공급사 디바이스 패키지TO-220-3

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)