FDZ3N513ZT

Fairchild Semiconductor

FDZ3N513ZT

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP

생산 중4-XFBGA, WLCSP아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs462mOhm @ 300mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds85 pF @ 15 V
제조사Fairchild Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5.5V, -300mV
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A
최대 전력 손실1W (Ta)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case4-XFBGA, WLCSP
공급사 디바이스 패키지4-WLCSP (1x1)

환경 조건

동작 온도-55°C~125°C(TJ)