FDM2509NZ

Fairchild Semiconductor

FDM2509NZ

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2

구형6-UDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8.7A, 4.5V
기본 품번FDM2509
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 10V
제조사Fairchild Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A
Power - Max800mW

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지MicroFET 2x2 Thin

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)