EPC2105

EPC

EPC2105

데이터시트

아날로그 및 전원

GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE

생산 중Die아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
기본 품번EPC210
구성2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
제조사EPC
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈eGaN®
기술GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

전기적 특성

드레인-소스 전압80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A, 38A

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDie
공급사 디바이스 패키지Die

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)