DIW120SIC023-AQ

Diotec Semiconductor

DIW120SIC023-AQ

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 75A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6150 pF @ 1000 V
제조사Diotec Semiconductor
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.9V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C125A (Tc)
최대 전력 손실600W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
공급사 디바이스 패키지TO-247

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101