DI7A6N10SQ

Diotec Semiconductor

DI7A6N10SQ

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET SO8 N 100V 0.02OHM 150C

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650 pF @ 25 V
제조사Diotec Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta)
최대 전력 손실2.5W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101