DI4A7P06SQ2

Diotec Semiconductor

DI4A7P06SQ2

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5A, 10V
구성2 P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds525pF @ 30V
제조사Diotec Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)
Power - Max3W (Ta)

기계적 특성

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SO

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101