DI010N03PW

Diotec Semiconductor

DI010N03PW

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0

생산 중8-PowerUDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1120 pF @ 15 V
제조사Diotec Semiconductor
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
최대 전력 손실1.4W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerUDFN
공급사 디바이스 패키지8-QFN (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)