DI006H03SQ

Diotec Semiconductor

DI006H03SQ

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET SO8 N+P 30V 0.025OHM 150C

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
구성2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 15V, 631pF @ 15V
제조사Diotec Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 4.2A (Ta)
Power - Max1.5W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SO

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101