DMTH6016LPDQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6016LPDQ-13

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 10A, 10V
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Power - Max2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PowerDI5060-8

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101