DMT8008SK3-13

Diodes Incorporated

DMT8008SK3-13

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 40 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
최대 전력 손실1.7W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252 (DPAK)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)