DMT68M8LSS-13

Diodes Incorporated

DMT68M8LSS-13

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2107 pF @ 30 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.9A (Tc)
최대 전력 손실1.9W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOIC

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)