DMT5015LFDF-7

Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN

생산 중6-UDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds902.7 pF @ 25 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A (Ta)
최대 전력 손실820mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지U-DFN2020-6 (Type F)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)