DMT4008LFDF-7

Diodes Incorporated

DMT4008LFDF-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020

생산 중6-UDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1179 pF @ 20 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.8A (Ta)
최대 전력 손실800mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지U-DFN2020-6 (Type F)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)