DMT35M8LDG-13

Name: DMT35M8LDG-13
Brand: Diodes Incorporated

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
구성	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature	Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
제조사	Diodes Incorporated
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA

드레인-소스 전압	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Ta), 15.3A (Ta)
Power - Max	980mW (Ta), 2W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)