DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

DMT3009LDT-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN

생산 중8-VDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 14.4A, 10V
기본 품번DMT3009
구성2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A
Power - Max1.2W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지V-DFN3030-8 (Type K)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)