DMN62D4LFB-7B

Diodes Incorporated

DMN62D4LFB-7B

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006

생산 중3-UFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 30 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C407mA (Ta)
최대 전력 손실500mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case3-UFDFN
공급사 디바이스 패키지X1-DFN1006-3

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)