DMN62D0LFD-7

Diodes Incorporated

DMN62D0LFD-7

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN

생산 중3-UDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 100mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds31 pF @ 25 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C310mA (Ta)
최대 전력 손실480mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-UDFN
공급사 디바이스 패키지X1-DFN1212-3

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)