DMN6010SCTBQ-13

Diodes Incorporated

DMN6010SCTBQ-13

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

생산 중아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2692 pF @ 25 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C128A (Tc)
최대 전력 손실5W (Ta), 312W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101