DMN33D9LV-13

Diodes Incorporated

DMN33D9LV-13

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563

생산 중SOT-563, SOT-666아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
기본 품번DMN33
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds48pF @ 5V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Power - Max430mW (Ta)

기계적 특성

Package / CaseSOT-563, SOT-666
공급사 디바이스 패키지SOT-563

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)