DMN32D0LFB4-7B

Diodes Incorporated

DMN32D0LFB4-7B

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006

생산 중3-XFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds44.8 pF @ 15 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C440mA (Ta)
최대 전력 손실350mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-XFDFN
공급사 디바이스 패키지X2-DFN1006-3

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)