DMN2991UFB4-7B

Diodes Incorporated

DMN2991UFB4-7B

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006

생산 중3-XFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14.6 pF @ 16 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
최대 전력 손실360mW (Ta)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case3-XFDFN
공급사 디바이스 패키지X2-DFN1006-3

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)