DMN2022UNS-7

Diodes Incorporated

DMN2022UNS-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 4A, 4.5V
기본 품번DMN2022
구성2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 10V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta)
Power - Max1.2W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지PowerDI3333-8 (Type UXB)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)