DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

생산 중4-VFDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 4.5V
기본 품번DMN2011
구성2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2248pF @ 10V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.2A (Ta)
Power - Max2.1W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-VFDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지V-DFN2050-4

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)