DMN2009UCA4-7

Diodes Incorporated

DMN2009UCA4-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 20V 10.3A X4-DSN1717-4

생산 중4-XFBGA, DSBGA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
기본 품번DMN2009
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1780pF @ 10V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 640µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta)
Power - Max900mW

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case4-XFBGA, DSBGA
공급사 디바이스 패키지X4-DSN1717-4

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)