DMN2008LFU-7

Diodes Incorporated

DMN2008LFU-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

생산 중6-UFDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
기본 품번DMN2008
구성2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1418pF @ 10V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250A

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.5A
Power - Max1W

기계적 특성

Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지U-DFN2030-6 (Type B)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)