DMN2005LP4K-7

Diodes Incorporated

DMN2005LP4K-7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN

생산 중3-XFDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
기본 품번DMN2005
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds41 pF @ 3 V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
최대 전력 손실400mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-XFDFN
공급사 디바이스 패키지X2-DFN1006-3

환경 조건

동작 온도-65°C ~ 150°C (TJ)