DMN1017UCP3-7

Name: DMN1017UCP3-7
Brand: Diodes Incorporated

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3

생산 중3-XDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 5A, 3.3V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1503 pF @ 6 V
제조사	Diodes Incorporated
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

드레인-소스 전압	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 3.3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.5A (Ta)
최대 전력 손실	1.47W

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)