DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

DMG4511SK4-13

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L

생산 중TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 8A, 10V
기본 품번DMG4511
구성N and P-Channel, Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 25V
제조사Diodes Incorporated
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A, 5A
Power - Max1.54W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급사 디바이스 패키지TO-252-4L

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)